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通过设计合适的温场, 解决了重掺单晶生长过程中的组分过冷和位错密度高的问题, 获得了高掺杂浓度高迁移率的无位错单晶.
隧道二极管用锗单晶制备的温场设计
【摘 要】
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通过设计合适的温场, 解决了重掺单晶生长过程中的组分过冷和位错密度高的问题, 获得了高掺杂浓度高迁移率的无位错单晶.
【机 构】
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北京有色金属研究总院,北京100088
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2004年期
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