SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dh9998

【摘要】

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通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法.

【作者】

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【机构】

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深爱半导体有限公司

【出处】

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半导体技术

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

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