【摘 要】
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本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室,
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本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅长以及掺杂浓度对阈值电压的影响.运用二维器件模拟器对器件表面势和I-V特性进行了仿真,所得结果与模型仿真结果一致,从而证明了模型的正确性.
In this paper, quasi-two-dimensional threshold voltage model of polycrystalline SiGe gate-strained SinMOSFET is obtained by using Gaussian law, and the IV characteristic model of small-sized strained SinMOS device is established from the current density equation.According to the calculated model, Component, polycrystalline Si1-yGey gate Ge composition, gate oxide thickness, strained Si layer thickness, gate length and doping concentration on the threshold voltage.The surface potential and IV characteristics of the devices were investigated using a two-dimensional device simulator The simulation results show that the model is correct.
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