【摘 要】
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利用量子力学的密度矩阵理论,在有效质量近似下,采用有限深势阱模型,导出了柱形量子点的三阶非线性极化率的解析表达式.通过数值计算,分析了GaAs/AlβGa1-βAs柱形量子点的三
【机 构】
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华南师范大学激光生命科学研究所,广州大学、物理与电子工程学院电子信息系
【基金项目】
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广东省博士启动基金，广东省广州市高校科技计划
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利用量子力学的密度矩阵理论,在有效质量近似下,采用有限深势阱模型,导出了柱形量子点的三阶非线性极化率的解析表达式.通过数值计算,分析了GaAs/AlβGa1-βAs柱形量子点的三阶非线性极化率与量子点尺寸、掺杂浓度、入射光的频率和偏振方向等参量的关系.结果表明,三阶极化率峰值位置与这些参量密切相关,并且对于确定频率和偏振方向的入射光以及材料的掺杂浓度,存在与之相匹配的量子点尺寸,使三阶极化率达到极大,比体材料的相应值高出2个数量级以上.
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