纳米结构制备及硅单电子晶体管的研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：blademan_0617

【摘要】

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介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶

【作者】

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卢刚陈治明毛胜春马剑平王建农葛惟昆

【机构】

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西安理工大学电子工程系,西安理工大学电子工程系,香港科技大学物理系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

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2002年11期

【关键词】

：

纳米结构硅单电子晶体管库仑阻塞单电子隧穿 nano-structure single electron transistor coulomb bloc

【基金项目】

：

香港研究资助局资助项目

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介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺在p型SIMOX硅片上成功制造了一种单电子晶体管;在器件的电流电压特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应以及在固定的Vds电压下,源漏电流(Ids)随栅极电压(Vgs)变化的一系列周期变化的电流振荡特性.

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