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采用分子束外延技术（MBE）在GaAs衬底上外延生长高In组分（〉40%）InGaNAs/GaAs量子阱材料,工作波长覆盖1.3-1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光（PL）光谱研究了N原子并入的生长机制和InGaNAs/GaAs量子阱的生长特性。结果表明：N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In0.4Ga0.6N0.01A