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本文研究了快速热处理退除热施主态的工艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题。结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同。４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生。
直拉硅单晶中热施主的快速热退除
【摘 要】
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本文研究了快速热处理退除热施主态的工艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题。结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同。４５０℃、１小时处理没
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京有色金属研究总院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1995年10期
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