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采用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜，研究了衬底温度和溅射功率对薄膜性能的影响。通过对二者的优化，获得了方阻为2．99Ω／□，电阻率为1．76×10^-4Ω·cm，可见光波段（400—800nm）平均透过率为82．3％的ITO薄膜。将优化后的薄膜用于电池上，制出了转化效率为14．04％的HIT太阳能电池。