具有高光开关比和高响应度的单根In_(2)O_(3)纳米线紫外光电晶体管

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangfegnlin

【摘要】

：

In2O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用。本文制备了In2O3纳米线紫

【作者】

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陈雪魏志鹏

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

【出处】

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发光学报

【发表日期】

：

2021年2期

【关键词】

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In2O3纳米线紫外光电晶体管响应度 In2O3nanow

【基金项目】

：

国家自然科学基金(61904017,62074018,12074045),高功率半导体激光器国家重点实验室基金,吉林省科技发展计划(20200301052RQ),吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ),长春理工大学青年基金(XQNJJ-2018-18)资助项目

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In2O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用。本文制备了In2O3纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小。最终得到具有高光开关比(1.07×108)和高响应度(5.58×107 A/W)的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In2O3纳米结构光电探测器。本工作促进了In2O3

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