【摘 要】
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利用平行板电极装置研究了四甲基硅在410~378 nm内的MPI光谱;利用TOF质谱仪研究了该分子在402~371 nm内若干个波长点处的TOF质谱;利用四极质谱装置研究了它在355 nm处的MPI质谱
【机 构】
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空军第一航空学院基础部,河南师范大学物理系
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利用平行板电极装置研究了四甲基硅在410~378 nm内的MPI光谱;利用TOF质谱仪研究了该分子在402~371 nm内若干个波长点处的TOF质谱;利用四极质谱装置研究了它在355 nm处的MPI质谱.测得了355 nm下Si(CH3)+n(n=1,2,3,4)及Si+的激光光强指数,以及其信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程的可能通道,得出了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离、Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于Si(CH3)n(n=1,
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