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<正>近日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所),100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里"奋力"生长。SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等
我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破
【摘 要】
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<正>近日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所),100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里"奋力"生长。SiC单晶是第三代半导体材
【出 处】
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山东陶瓷
【发表日期】
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2018年03期
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