硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟

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【摘要】

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用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况. 从中发现: 十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50%, (8×8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面的空间排列.同时讨论

【作者】

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苑世领蔡政亭肖莉徐桂英刘永军

【机构】

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山东大学理论化学研究所,济南,250100山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室,济南,250100;山东大学理论化学研究所,济南,250100;山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室,济南,2501

【出处】

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中国科学B辑

【发表日期】

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2002年6期

【关键词】

：

硅表面烷烃单层膜分子模拟分子力学

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用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况. 从中发现: 十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50%, (8×8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面的空间排列.同时讨论了不同取代方式对单层膜的影响, 并比较了酯基和甲基终止的硅表面单层膜的空间排列方式, 模拟结果与实验测量基本吻合. 结果表明: 分子模拟方法可以作为实验手段的一种辅助工具, 在分子水平上为实验提供理论支持和微观信息.

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