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采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的M0s晶体管，计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器（sRAM）单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值（LETth），建立了LETth与临界电荷之间的解析关系，研究了特征工艺尺寸对CMOSSRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明：随着特征尺寸的减小，SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小，电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加，造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小，CMOSsRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。