3C—SiC／Si异质结二极管的高温特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xboy123

【摘要】

：

研究了低压化学气相淀积方法制备的n—3C—SiC／p—Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度—电压(J—V)特性．室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压

【作者】

：

张永兴孙国胜王雷赵万顺高欣曾一平李晋闽李思渊

【机构】

：

中国科学院半导体研究所新材料部,兰州大学物理科学与技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年9期

【关键词】

：

LPCVD 异质结二极管高温特性 LPCVDheterojunction diodeshigh temperature characteristics

【基金项目】

：

国家重点基础研究专项基金 ( No.G2 0 0 0 0 683 ),,国家高技术研究与发展计划 ( No.2 0 0 1AA3 110 90 )资助项目~~

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

研究了低压化学气相淀积方法制备的n—3C—SiC／p—Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度—电压(J—V)特性．室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1．8×10^4，在480K时仍存在较小整流特性，整流比减小至3．1．在300K温度下反向击穿电压最高可达220V．电容—电压特性表明该SiC／Si异质结为突变结，内建电势Vbi为0．75V．采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J—V实验曲线进行了很好的拟和

其他文献

腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性

利用熔融KOH液对单层GaN腐蚀后进行二次MOCVD外延生长，对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试，实验结果表明二次生长2h的薄膜具有

期刊

MOCVDGAN穿透位错MOCVDGaNthreading dislocation

可用于光纤用户网的0.6μm CMOS激光驱动器

基于国内的CMOS技术和EDA工具以及全定制的设计方法，采用无锡华晶上华(CSMC-HJ)0.6μm CMOS技术实现了可工作于155Mb／s、622Mb／s的激光驱动器．该激光驱动器在50Ω负载上输出电流

期刊

激光驱动器CMOS光纤用户网laser diode driverCMOSoptical access networks

以铝作过渡层的c轴取向Si基ZnO晶体薄膜的生长及其肖特基二极管的研制

利用直流反应磁控溅射方法在金属Al过渡层上沉积了Si基ZnO晶体薄膜，并利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试仪对ZnO薄膜的晶体质量和电学性能进行了分析，结果表明，ZnO薄

期刊

ZNO薄膜磁控溅射肖特基势垒I—V特性ZnO thin filmsreactive magnetron sputteringSchottky barri

一个DC-32GHz两位微机械移相器

采用分布式微机械传输线结构实现了两位移相器，并且为了减小传输线负载电容和驱动电压首次提出了用共面波导传输线来驱动微机械桥的结构(共面波导驱动结构)．结果显示驱动电压小

期刊

微电子机械系统移相器共面波导驱动结构MEMSphase shifterCPW-actuation structure

3C—SiC／Si异质结二极管的高温特性

其他学术论文