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功率模块用最新的IGBT性能已有了显著提高，且已经非常接近物理极限。作为下一代1GBT功率模块，我们已经在I．2kV级别上提出了CSTBTTM（Ⅲ）的概念，主要体现为精细加工的沟槽栅结构和CS层（载流子存储层）倒退型掺杂分布。基于CSTBTTM（Ⅲ）的概念，我们优化了1．7kV级的MOS结构，同时改进了为发射极电极表面新开发的平坦化技术，以扩大功率循环能力。