【摘 要】
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过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一.为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/
【机 构】
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福州京东方光电科技有限公司,福建 福州,350300北京京东方显示技术有限公司,北京,100176;
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过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一.为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O 2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数.结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀.反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O 2/SF6气体比例对速率影响小,O 2含量越高,均一性越高.为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7 Pa,偏置射频功率减小到30 kW,源极功率增加到30 kW,O 2/SF6气体保持比例1:1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750 nm/s,均一性达到10％,腐蚀发生率为10％～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决.
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