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本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响，荧光光谱峰位随注入剂量（５×１０＾１４～５×１０＾１５ｃｍ＾－２）的增加从７６６ｎｍ持续蓝移至７５３ｎｍ，光响应峰值波长从８．２μｍ移至１０．３μｍ。