基片温度对金刚石厚膜生长的影响

来源 :武汉工程大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yangke0248

【摘要】

：

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了Φ60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚

【作者】

：

熊礼威汪建华满卫东曹菊琴谢鹏

【机构】

：

武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室

【出处】

：

武汉工程大学学报

【发表日期】

：

2008年01期

【关键词】

：

化学气相沉积金刚石厚膜微波等离子体

【基金项目】

：

湖北省科技攻关计划（2002AA105A02）,湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队资助计划项目

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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了Φ60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在Φ60 mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜.

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