【摘 要】
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为了解决VO2薄膜掺杂后相变温度高,相变前后红外透射率差值减小等问题,利用磁控共溅射的方法,在普通玻璃基底上溅射沉积钨钒薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火,制备了性能良好
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海现代光学系统重点实验室,上海电力大学计算机与信息工程学院,
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为了解决VO2薄膜掺杂后相变温度高,相变前后红外透射率差值减小等问题,利用磁控共溅射的方法,在普通玻璃基底上溅射沉积钨钒薄膜,再在常压氮氧混合气氛中退火,制备了性能良好的掺钨VO2薄膜。分析对比了不同混合气氛中氧化生成的钨掺杂VO2薄膜的组分和结构,发现VO2有明显的(011)和(200)生长取向,并且随着混合气氛中氧含量的增加,薄膜颗粒大小从50nm增大到80nm。钨掺杂VO2薄膜的相变温度下降到31℃,相变前后红外透射率差值为41%。结果表明通过高效的钨掺杂可以降低VO2薄膜的相变温度,改善红外区域的透射光谱特性,减小钨掺杂带来的透射率损失。
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