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减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之。众所周知，象SiC开关这样的宽禁带器件，在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前，英飞凌公司向市场推出TSiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟，该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性，并且应用简单、成本适当。本文介绍丁利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。