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GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点，伴随工业制备技术的日趋成熟，其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.但是，在超高电流下工作的 AlGaInP 大功率芯片仍存在着发光效率衰减严重的问题.目前已知的影响因素主要是载流子的溢出和俄歇复合的加强与否.本文通过分析具有不同势阱厚度和势垒中不同浓度的P型掺杂的AlGaInP样品的光致发光图谱变化与电流密度和辐射效率的关系，发现在势阱厚度为20 nm，势垒P型掺杂浓度为1×10 ^17 cm^ -3 时，可以显著改善大功