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半导体材料中的缺陷和离子注入掺杂的不均匀性,将直接影响器件的主要电参数,甚至会降低产品的成品率,所以,分析半导体器件纵向结构参数的均匀性,在生产中起重要作用.进一步而言,此类分析能用来检验出直拉硅单晶中存在着的两种缺陷,还能给出离子注入机在扫描过程中引起的掺杂不均匀性的详细的描述.
分析半导体器件纵向结构参数均匀性
【摘 要】
：
半导体材料中的缺陷和离子注入掺杂的不均匀性,将直接影响器件的主要电参数,甚至会降低产品的成品率,所以,分析半导体器件纵向结构参数的均匀性,在生产中起重要作用.进一步而
【机 构】
：
河南新乡市半导体厂总工办
【出 处】
：
微电子技术
【发表日期】
：
2003年3期
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