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6H碳化硅(6H-SiC)作为目前应用最广的第三代半导体材料,其加工制造过程面临工艺步骤繁琐、研磨后表面质量缺陷严重等难题。本研究提出采用飞秒激光方法直接抛光SiC切割片,考察了激光重复频率、扫描间距、脉冲能量、扫描速度、离焦距离等工艺参数对抛光后SiC表面质量的影响。结合扫描电镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)、激光共聚焦显微镜对抛光后表面形貌、结构、成分等表征,分析了表面质量的影响因素。研究发现在激光重复频率为15 kHz、扫描间距15 μm、脉冲能量89.3 μJ、扫描速度118 mm/s