论文部分内容阅读
对于正整数n，设S（α）是α的Smarandache函数，设n是正整数。如果满足∑d｜n S（d）=n＋1＋S（n）,则称n是一个Smarandache完全数，本文证明了：Smarandache完全数仅有n=12。
关于Smarandache完全数
【摘 要】
：
对于正整数n，设S（α）是α的Smarandache函数，设n是正整数。如果满足∑d｜n S（d）=n＋1＋S（n）,则称n是一个Smarandache完全数，本文证明了：Smarandache完全数仅有n=12。
【机 构】
：
湛江师范学院数学系
【出 处】
：
河南师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
：
2007年4期
【基金项目】
：
基金项目：国家自然科学基金（10271104）,广东省自然科学基金（04011425）
其他文献
采用sol-gel技术在单晶Si（100）衬底上制备了LaNiO3导电薄膜.利用X射线粉末衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和四探针电阻测量法研究了不同烘烤温度对LaNiO3薄膜的晶体结构、
为测定血糯米中Fe、Zn、Mn微量元素含量，用V（HN03）＋V（HCIO4）=4＋1消解样品，火焰原子吸收光谱法测定。结果表明，血糯米中Fe、Zn、Mn的含量分别为：41．95、31．04、18．98μg/g，方法回收率在97．0％-1
采用DMol^3程序对顺式环氧琥珀酸（ESA）的结构和相关性质（振动频率、热力学性质、反应活性及稳定性）进行了理论研究．得到了分子的几何优化构型和各原子上的电荷分布以及前线分子轨
建立了利用对甲氨基苯甲酸测定硼的新方法．研究表明，对甲氨基苯甲酸与硼在pH=10．00发生褪色反应，褪色最大波长λmax=242nm，硼的浓度在0．22-21．6μg·mL^-1范围内与吸光度（A）降低程
用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构；6H—SiC（0001）衬底表面台阶引起的G