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采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜．并研究了溅射气压，基底温度，以及氧偏压对ZnO薄膜物性的影响，从而确定了制备ZnO薄膜的最佳溅射条件．
溅射参数对ZnO薄膜物性的影响
【摘 要】
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采用磁控溅射方法分别在ITO玻璃和硅片上成功制备了具有良好C轴取向的ZnO薄膜．并研究了溅射气压，基底温度，以及氧偏压对ZnO薄膜物性的影响，从而确定了制备ZnO薄膜的最佳溅射条件．
【机 构】
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商丘职业技术学院
【出 处】
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化学研究
【发表日期】
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2007年4期
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