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为制备陶瓷产率高、高温性能优良的碳化硅（SiC）陶瓷先驱体,利用频那醇硼烷（PINB）与聚碳硅烷（PCS）的脱氢偶合反应,对聚碳硅烷进行化学改性。改变PINB与PCS的质量比（1∶20、1∶10、1∶5）,制备了一系列不同硼（B）含量的含硼聚碳硅烷（PBCS）。通过傅里叶变换红外光谱分析、核磁共振氢谱分析、热重分析以及X射线衍射分析等手段研究了PBCS的组成、结构及热解行为。结果表明,通过B-H键的反应将B元素以PINB骨架形式引入PCS结构;引入B元素可以将PCS的陶瓷产率从78%提高至92%;另外,B