高灵敏度InSb红外探测器

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1.前言 InSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在77°K时,禁带宽0.23电子伏,因为载流子迁移率高,在红外波段(截止波长5.5微米)灵敏度较高,适于作快速响应的探测器材料。原来的测热辐射计和热电偶,至多只能探测几十赫的信号。而InSb元件可以探测1兆赫左右的信号,最近装在红外照相机里,用 1. Introduction InSb is a group III-V compound semiconductor with a forbidden band width of 0.23 eV at 77 ° K. It has high sensitivity in the infrared (5.5 μm cut-off) wavelength because of its high carrier mobility and is suitable for fast response Detector material. The original thermometer and thermocouple, can only detect tens of hertz of the signal. InSb components can detect about 1 MHz signal, recently installed in the infrared camera, with
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