【摘 要】
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运用相场方法研究双晶体NiTi形状记忆合金分别在无应力和有应力作用下时效过程中Ni4Ti3相的沉淀行为,模拟研究两种不同初始过饱和度（Ni含量分别为51.5%和52.5%,摩尔分数）的NiTi
【机 构】
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华南理工大学机械与汽车工程学院,华南理工大学材料科学与工程学院
【基金项目】
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Project （50871039） supported by the National Natural Science Foundation of China, Project （2011ZB0007） supported by the Fundamental Research Funds for Central Universities of China, Project （201104090
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运用相场方法研究双晶体NiTi形状记忆合金分别在无应力和有应力作用下时效过程中Ni4Ti3相的沉淀行为,模拟研究两种不同初始过饱和度（Ni含量分别为51.5%和52.5%,摩尔分数）的NiTi基体并考虑外加应力的影响。模拟结果表明,在无应力作用的体系中,当体系Ni原子初始浓度相对较低（51.5%Ni）时,Ni4Ti3相以非均匀的方式析出,其中晶界上存在大量的Ni4Ti3变体,晶界内大部分区域无变体;当体系Ni原子初始浓度较高（52.5%Ni）时,Ni4Ti3在整个双晶体系中均匀析出。在所研究的两种初始浓度
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