【摘 要】
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IGBT是一种综合MOSFET和GTR两种器件优点的功率器件,被广泛应用于电力电子领域。在对这种电力电子器件的研究中,其功耗特性和功率特性同样重要。首先介绍IGBT器件基本的结构
【机 构】
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哈尔滨理工大学,中国电子科技集团公司第四十七研究所
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IGBT是一种综合MOSFET和GTR两种器件优点的功率器件,被广泛应用于电力电子领域。在对这种电力电子器件的研究中,其功耗特性和功率特性同样重要。首先介绍IGBT器件基本的结构特点和工作原理,并对IGBT器件的尾流特性及其功耗组成进行分析和概述。同时结合IGBT的热阻模型,确定温度公式与功耗的关系,在保证其他电学参数相同的情况下,通过使用专门软件对实际情况下IGBT器件的功耗进行模拟仿真,分别在外界环境温度为-55℃、25℃、125℃的条件下研究外界环境温度对于IGBT功耗特性的影响,并通过控制IGBT器件外壳基板的热阻来降低IGBT器件的功耗。
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