【摘 要】
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本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体。提出了晶体生长工艺的改进措施,如
【机 构】
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桂林工学院资源与环境工程系,桂林地质矿产研究院,桂林地质矿产研究院,桂林地质矿产研究院,桂林地质矿产研究院,桂林地质矿产研究院,广西师范大学化学化工学院,桂林工学院资源与环境工程系,桂林工学院资源与环
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本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体。提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量。//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中。
In this paper, the growth process and crystal growth morphology of hydrothermal KTP crystal were reported. The macroscopic defects of hydrothermal KTP crystal were systematically studied. The macroscopic defects mainly include adding crystal, growing ridges, fractures and inclusions. The measures to improve the crystal growth process are proposed, such as improving the purity of raw materials and reagents, adjusting the suspension mode of seed crystals and reducing the size of seed crystals, which can reduce macroscopic defects and improve the crystal quality. The crystal quality of the (011) tangential seed crystal is high and can be well used in laser devices.
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