【摘 要】
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采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构
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采用同位素H216O/H218O接续氧化同位素示踪方法,研究了单晶硅在1100℃水汽中氧化的微观传质机制.在H216O,H218O分别氧化和H216O/H218O接续氧化处理后,研究氧化产物形态和结构.并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素16O和18O在氧化膜中浓度分布.结果表明H2O蒸汽中氧化产物为非晶态SiO2.H216O/H218O接续氧化后,16O与18O在氧化膜中呈渐次梯度分布,表明Si在水汽中的氧化传质机制为替位扩散机制.
The isotope tracing method of isotope H216O / H218O was used to study the microscopic mass transfer mechanism of single crystal silicon oxidation at 1100 ℃. After the oxidation of H216O and H218O and the subsequent oxidation of H216O / H218O, the morphology and structure of the oxidation products The concentration distribution of 16O and 18O isotopes in oxide films was studied by SIMS.The results showed that the oxidation products of H2O steam were amorphous SiO2.After continuous oxidation of H216O / H218O, Gradient gradient distribution, indicating that Si in water vapor oxidation and mass transfer mechanism for the replacement of diffusion mechanism.
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