光纤光栅外腔半导体激光器的模式抑制比研究

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本文在考虑了光纤光栅的位相后,利用稳态多模速率方程组,对光纤光栅外腔半导体激光器(FGESL)的静态工作特性进行理论分析。结果表明:随着注入电流和耦合效率的增加,FGESL的SMSR总体上呈上升趋势。在强反馈情况下,得到了边模抑制比可达40dB,并且变化曲线比较平滑;然而,在弱反馈情况下,边模抑制比<36dB,并且呈现明显的抖动。
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