XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：flyrain_yan

【摘要】

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采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAlO：N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型。p

【作者】

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张子才于威张坤滕晓云傅广生

【机构】

：

河北大学工商学院,河北大学物理科学与技术学院

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2011年5期

【关键词】

：

ZNO薄膜 XPS (N)o缺陷 ZnO films XPS （N）O defect

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采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在α-Al2O3衬底上制备了N-Al共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAlO：N薄膜为n型传导,在O2等离子体气氛中550℃退火后变为p型。p型ZnO薄膜的载流子浓度为2.1×1016 cm-3,霍尔迁移率为5 cm2/V.s。用X射线光电子能谱仪（XPS）对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化学态分析。XPS结果表明,ZnAlO：N薄膜中存在两种与N元素有关的缺陷,N原子替代O位形成的（N）O和N分子替代O位形成的（N2）O。退火后ZnAlO

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