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对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现：单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加，具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果，从7射线与物质作用微观分析，证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应，但它较电离效应具有一定滞后性。
硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究
【摘 要】
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对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现：单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加，具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结
【机 构】
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西安电子科技大学大学技术物理学院,西安电子科技大学大学微电子学院
【出 处】
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电子科技
【发表日期】
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2010年2期
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