【摘 要】
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Monolithic white-light-emitting diodes (white LEDs) without phosphors are demonstrated using InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown on GaN microrings formed by selective area epitaxy on SiO2 mask patterns. The microring structure is composed of {1-
【机 构】
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SchoolofScience,JiangsuProvincialResearchCenterofLightIndustrialOptoelectronicEngineeringandTechnolo
【出 处】
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PhotonicsResearch
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Monolithic white-light-emitting diodes (white LEDs) without phosphors are demonstrated using InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown on GaN microrings formed by selective area epitaxy on SiO2 mask patterns. The microring structure is composed of {1-101} semi-polar facets and a (0001) c-plane, attributed to favorable surface polarity and surface energy. The white light is realized by combining short and long wavelengths of electroluminescence emissions from InGaN/GaN MQWs on the {1-101} semi-polar facets and the (0001) c-plane, respectively. The change in the emission wavelengths from each microfacet is due to the In composition variations of the MQWs. These results suggest that white emission can possibly be obtained without using phosphors by combining emission light from microstructures.
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