电子辐照SiGe HBT和Si BJT的直流特性分析

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【摘要】

：

研究了1 MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较.结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,IC和β都下降;随电子辐照剂量的

【作者】

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黄文韬王吉林刘志农陈长春陈培毅钱佩信

【机构】

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清华大学微电子学研究所,清华大学核能设计研究院

【出处】

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核技术

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

电子辐照 SiGe异质结晶体管(HBT) Si双极晶体管(BJT) 电学特性 Electron irradiation SiGe HBT Si BJT E

【基金项目】

：

国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)

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研究了1 MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较.结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,IC和β都下降;随电子辐照剂量的增加,IC和β都减小.对Si BJT而言,IB和IC与在相同辐照剂量辐照后的SiGe HBT相比都增大很多,β下降幅度也很大.这说明SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗辐照性能.对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析.

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