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利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8．5×10^-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x，（In1-y，Cuy）xO薄膜,研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系．实验结果表明,Sn1-x（In1-y，Cuty），O透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x，（In1-y，Cuy）x O薄膜中In的含量大大减少．可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.