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以自炽灯为光源照射单晶硅光电池，测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流．通过短路电流和截止波长的关系，经拟合得到单晶硅材料的长波限，再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系，即Eg=hc／λ，计算得出其禁带宽度．
利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度
【摘 要】
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以自炽灯为光源照射单晶硅光电池，测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流．通过短路电流和截止波长的关系，经拟合得到单晶硅材料的长波限，再利用半导体材料的长波限
【机 构】
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复旦大学物理学系
【出 处】
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物理实验
【发表日期】
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2008年11期
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