【摘 要】
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采用光诱导液相沉积（LIP）的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）、四探针测试仪等分别
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61106060）,国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2012AA052401）,中国科学院知识创新工程重大资助项目（Y2YF028001）.
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采用光诱导液相沉积（LIP）的方法制备了Ni、Cu 薄膜,并进一步讨论了沉积温度等相关因素对薄膜成分与形貌的影响.采用 X 射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）、四探针测试仪等分别对薄膜的成分、形貌、电阻率、非均匀性等进行表征.结果显示,制备的 Cu 膜电阻率为1．87＆#215;10-8Ω？？m,非均匀性为2．64％.此外,将制备的 Ni/Cu 工艺应用于制备晶硅电池的栅线电极,用 I-V 测试仪测试电池参数,填充因子高达77．8％.
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