Whole-Chip ESD Protection Design for RF and AMS ICs

来源 :Tsinghua Science and Technology | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaixin_ui
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As integrated circuits (IC) technologies advance into very-deep-sub-micron (VDSM), electrostatic discharge (ESD) failure becomes one of the most devastating IC reliability problems and on-chip ESD protection design emerges as a major challenge to radio frequency (RF), analog, and mixed-signal (AMS) IC designs. This paper reviews key design aspects and recent advances in whole-chip ESD protection designs for RF/AMS IC applications in CMOS technologies. As integrated circuits (IC) technologies advance into very-deep-sub-micron (VDSM), electrostatic discharge (ESD) failure becomes one of the most devastating IC reliability problems and on-chip ESD protection design emerges as a major challenge to radio frequency (RF), analog, and mixed-signal (AMS) IC designs. This paper reviews key design aspects and recent advances in whole-chip ESD protection designs for RF / AMS IC applications in CMOS technologies.
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