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己制备成双异质结AlxGa1-xAs激光器，异质结处组合物的不连续性Δx为0.45~0.68，激活区宽度约为0.1微米。这类器件具有迄今所报道的最低的室温阈值电流密度(475安/厘米2)，它的微分量子效率为40%或更高。
阈值很低的双异质结AlxGa1-xAs注入式激光器
【摘 要】
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己制备成双异质结AlxGa1-xAs激光器，异质结处组合物的不连续性Δx为0.45~0.68，激活区宽度约为0.1微米。这类器件具有迄今所报道的最低的室温阈值电流密度(475安/厘米2)，它的微分量子效率为40%或更高。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1976年13期
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