【摘 要】
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用脉冲激光沉积技术在Si（100）基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%（质量分数）的Cr3＋∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所
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用脉冲激光沉积技术在Si（100）基底上制备了纯Al2O3、掺杂浓度为0.3%、1%（质量分数）的Cr3＋∶Al2O3薄膜。制备态的薄膜为立方γ-Al2O3结构,经800℃真空条件下退火1h样品的结晶度有所提高,呈现α-Al2O3相与γ-Al2O3相的衍射峰。薄膜基本保持了靶材中原有各元素成分比例,平均粒径为250nm,形貌为条形。与Al2O3粉体相比,制备态薄膜在386nm处的发光峰强度明显提高。这可归因于薄膜中氧空位的增加使双氧空位吸收电子所产生的F2＋色心浓度提高。薄膜经真空退火后在332、398n
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