新结构MOSFET

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Whoafraidwh0

【摘要】

：

和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等.文章主要介绍了五种典型的

【作者】

：

林钢徐秋霞

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

平面双栅MOSFET FINFET 三栅MOSFET 环形栅MOSFET 竖直结构MOSFET 集成电路 MOSFET Double-gate MOSFET

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和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等.文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET.随着MOSFET向亚50 nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途.

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