40nm栅刻蚀工艺若干问题的优化与研究

来源 :中国集成电路 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tony_m_wang
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40hm栅刻蚀工艺面临很多的挑战,其中线宽粗糙度(Line width roughnesS,LWR)、关键尺寸负载效应、均匀性和物理形貌(Profile)尤为困难。本文着眼于LWR和物理形貌的优化和研究。实验结果显示BARC(Bottom Anti-Reflective Coating)刻蚀气体、等离子体处理步骤的位置和工艺时间均对LWR造成影响;氧气和偏压功率实验的形貌结果说明不同栅刻蚀步骤中,即使同一个参数,对形貌的影响也并不一样,其作用原理在文中也作了详细分析。
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