PIN结构GaN基α粒子探测器的设计

来源 :东华理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：cjl7648893

【摘要】

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根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了^241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真^241 Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中Ⅰ层的

【作者】

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黄河朱志甫王仁波魏雄彭新村邹继军

【机构】

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东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心,东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心

【出处】

：

东华理工大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2014年2期

【关键词】

：

GAN PIN Α粒子射程 GaN PIN α particle projected range

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根据Bragg公式及L.S.S理论,计算分析了^241Am放射性源在GaN及合金材料中的射程及能量损失比,利用SRIM模拟仿真^241 Am在GaN中的射程及能量损失比,得出了最佳PIN结构中Ⅰ层的厚度,优化设计了GaN基α粒子探测器的PIN结构,为MOCVD技术制备PIN结构GaN基α粒子探测器提供了理论依据和实验参考数据.

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