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采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料，获得１８７Ａ／ｃｍ＾２的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比，从理论上分析了缺位对于电子发射的影响，从材料学角度出发，总结出提高发专注密度的三种有效方法：即增强阴极表面半导体性，增大内偏置电场的增大材料的介电常数。
缺位型强电流铁电阴极材料的研究
【摘 要】
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采用一种新型的缺位型铁电陶瓷作为阴极材料，获得１８７Ａ／ｃｍ＾２的强电流发射密度。通过缺位型与非缺位型材料的发射电流的对比，从理论上分析了缺位对于电子发射的影响，从材料学角度出发，总结出
【机 构】
：
UnivofElectronicScienceand
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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2000年3期
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