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本文通过自腐蚀电位技术、交流阻抗技术以及动电位极化技术等电化学技术，研究了H68黄铜在硫酸盐还原菌中的腐蚀行为，并分析了硫酸盐还原菌的腐蚀机理和腐蚀特性。由实验结果得出，随着硫酸盐还原菌代谢活动的加强，铜电极的点蚀电位和开路电位具有一定的规律，并且H68黄铜的转移电荷呈现升降升的规律。在硫酸盐还原菌中的腐蚀行为此在无菌介质中强烈。硫酸盐还原菌代谢活动能降低溶液的pH值，破坏了铜电极表面的CuO的氧化膜，加速了铜电极的腐蚀，促进了金属的点蚀发生，使铜金属点蚀敏感性增加。