【摘 要】
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利用电子顺磁共振(EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究, 结果表明: 由EPR信息的g因子值(2.0027±0.0004)可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,上海大学材料科学与工程学院
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利用电子顺磁共振(EPR)技术对纳米GaP粉体材料的本征点缺陷进行了研究, 结果表明: 由EPR信息的g因子值(2.0027±0.0004)可以确定纳米GaP粉体材料存在Ga自填隙(Gai)本征缺陷; 纳米GaP粉体EPR信号超精细结构消失, 以及谱线线宽(ΔH PP)变窄等实验现象, 可能是由纳米材料界面的无序性, 以及缺陷原子和界面原子之间的电子交换造成的; 在较低的测试温度范围内, 升高温度引起纳米GaP材料发生晶界结构弛豫; 当测试温度由100 K升高至423 K时, ΔHPP值和自由基
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