Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tb881011

【摘要】

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采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67

【作者】

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何诺天唐慧丽刘波张浩朱智超赵衡煜徐军

【机构】

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同济大学高等研究院物理科学与工程学院,同济大学化学科学与工程学院,上海蓝宝石晶体工程研究中心

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

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2020年8期

【关键词】

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氧化镓 Ge掺杂发光性能快衰减 gallium oxideGe-dopedluminescence propertyfast decay

【基金项目】

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Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai(18511110502),Equipment Pre-research Fund Key Project(6140922010601)

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采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体,利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明,随着Ge离子掺杂浓度增加,Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下,Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当,发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。

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