clpP基因对变异链球菌生长及氧化应激的影响

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目的观察变异链球菌clpP基因缺陷株的生长特点;比较标准株与clpP基因缺陷株在氧化应激条件下的生长情况的差异。方法将两菌株分别培养在普通TPY液体培养基和含有H2O2终浓度0.0 005%的TPY培养基中,37℃微需氧条件下培养,从接种入培养基开始以2 h间隔采用酶联免疫检测仪在600 nm下测定各菌株的生长曲线并比较其生长情况的差异。结果①缺陷株在TPY液体培养基中生长时,生长周期发生改变,对数期峰值提前且此阶段生长速度较标准株快(P〈0.05),而标准株的对数期峰值及稳定期A值均明显高于缺陷株(P〈
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